尼康推出浸润式 ArF 光刻机 NSR-S636E，生产效率提高 10-15%

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12 月 7 日，尼康官网发布新闻稿，宣布推出浸润式 ArF 光刻机新品 NSR-S636E，将于明年 1 月开售。

据介绍，NSR-S636E 是尼康光刻系统中生产率最高的产品，是一款用于关键层的浸润式光刻机。

尼康表示，随着数字化转型的加速，能够更快地处理和传输大量数据的高性能半导体变得越来越重要。尖端半导体性能技术创新的关键推动因素是电路小型化和 3D 半导体器件结构，而 ArF 浸润式光刻机对这两种制造工艺都至关重要。与传统半导体相比，在 3D 半导体制造过程中更容易发生晶圆翘曲和失真，因此需要比以往任何时候都更先进的光刻机校正和补偿能力。

NSR-S636E ArF 光刻机利用增强型 iAS（inline Alignment Station），在曝光前执行复杂的晶圆多点测量。这一系统利用高精度测量和广泛的晶圆翘曲和失真校正功能，提供了更高的重叠精度，同时保持了最大的吞吐量。

尼康表示，与当前型号相比，NSR-S636E 的生产效率提高了 10-15%。

从尼康官网参数表获悉，NSR-S636E 光刻机支持 38nm 以下精度，吞吐量可达 280 片晶圆 / 小时。

据日经新闻此前报道，时隔二十多年，尼康将于 2024 年投放光刻机新产品，通过寻求逆势开拓中国大陆市场，以实现卷土重来。不过，报道中提到的是 i 线光刻机，而非浸润式 ArF 光刻机。

报道还称，尼康和佳能曾在 1990 年代之前主导市场，但在最尖端的极紫外（EUV）设备的开发竞争中败给了 ASML。极紫外光刻机在 2010 年后半期实用化，全世界只有 ASML 能够生产。另一方面，尼康的经营资源分散在各种光源上，缺乏强势领域。

来源：IT之家

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