近日,第二十五届中国国际光电博览会(CIOE)在深圳国际会展中心盛大举行,吸引了全球光电行业的顶尖企业和专家。在这场光电盛宴中,广纳四维凭借突破性的晶圆级碳化硅刻蚀工艺及衍射光波导技术创新成为展会焦点,赢得了业界的广泛赞誉与高度关注。
广纳四维展位
展会期间,广纳四维重点展示了最新研发的基于晶圆级碳化硅刻蚀工艺的衍射光波导产品C45C和C39G。广纳四维创新性地在高折射率材料上采用DUV光刻+刻蚀工艺制备复杂多元纳米光栅结构,同时基于通过精确控制镀膜厚度和仿生纳米纹理的深度,以及超衍射极限结构设计可以更好地还原光学设计,显著提升显示效果。
碳化硅刻蚀产品C45C
其中,C45C实现了单片全彩显示,厚度仅0.75mm,完全消除了彩虹纹效应。C39G极致轻薄单绿显示,做到真正意义上0彩虹纹效应。两款产品基于自研光学设计和材料纳米加工工艺优化,以及高精度计算设计和迭代试验,在保持核心参数性能的同时,有效避免彩虹纹的出现,为用户带来前所未有的视觉享受。
碳化硅刻蚀产品C39G
此外,广纳四维凭借广东粤港澳大湾区国家纳米科技创新研究院强大的材料研发能力和项目技术支撑,还展示了基于自研HPDLC(全息聚合物分散液晶)和HPDNP(全息聚合物分散纳米粒子)材料的体全息V20G产品,该产品在HPDLC材料国产化方面的突破及独创的曝光工艺,不仅保证了高效的光学性能,还显著减轻了光栅感和正面漏光问题,进一步提升了用户体验,并积极开展车载AR-HUD方面的应用测试。
在同期举办的「新型显示技术在XR与AI行业的创新应用论坛」上,广纳四维发表了主题演讲,分享了公司在衍射光波导量产过程中积累的宝贵经验。并着重介绍了广纳四维继跑通氮化硅、氧化钛等高折射率材料DUV光刻与刻蚀的AR波导工艺后,再度攻克碳化硅DUV光刻与刻蚀工艺。
广纳四维带来主题演讲
碳化硅刻蚀工艺以其高精度和高稳定性的特性,在制备复杂纳米光栅结构方面以及视觉效果提升上展现出显著优势,使得衍射光波导光学器件视场角更大,色彩还原度和均匀性更高,同时在产品重量,彩虹纹效应等方面均有所提升。广纳四维通过持续的技术创新,已经成功跨越了从理论到实践、从科研成果到商业产品的鸿沟,为AR眼镜等智能穿戴设备的轻量化、高性能发展奠定了坚实基础。
最佳光学方案商奖
原文始发于微信公众号(广纳四维):碳化硅刻蚀技术革新:突破0彩虹纹,引领单片全彩极致轻薄新纪元