在AR/VR设备加速向视网膜级显示进军的当下，Micro-LED技术悬崖悄然显现：外延材料与CMOS驱动的不匹配、微缩化带来的效率骤降、像素阵列的良率不可控等是Micro-LED在商业化道路上的主要阻碍。晶湛半导体在SEMICON CHINA 2025期间发布了基于ZDP™平台验证的Full Color GaN®全彩系列第二代外延片，为行业带来了破局曙光。
新一代硅基Full Color GaN® LED外延产品在性能上实现了全面升级。在Micro-LED微缩化进程中，当芯片尺寸小于20微米时，侧壁缺陷导致的非辐射复合会使内量子效率急剧下跌。晶湛通过优化RGB外延结构的应力调控层及有源区设计，8寸蓝光硅基LED的内量子效率（IQE）媲美主流PSS衬底LED，绿光硅基LED在电流密度>10A/cm²的条件下，内量子效率与PSS衬底LED相当。该突破成功解决了微缩化带来的载流子运输效率骤降难题，将微米级芯片的电流扩展能力进一步提升。
当Micro-LED像素尺寸进入亚10微米、甚至亚微米范畴，单颗像素缺陷率随阵列密度呈指数级上升。行业数据显示，1微米级像素阵列在百万像素规模下的初始良率通常不足60%，而AR设备视网膜级显示要求需达到99.9999%的像素完好率。传统工艺因缺乏晶圆级检测手段，难以定位亚微米级短路或开路缺陷。面对像素阵列的良率管控挑战，晶湛半导体依托200mm晶圆工艺平台，建立了“材料-工艺-验证”协同开发体系ZDP™平台。从外延生长的形貌检测、工艺监控，到晶圆级Micro-LED阵列的测试、检测模块，形成覆盖材料-工艺-晶圆的闭环质控体系。并且成功制备出高良率、高均匀性、高像素密度的亚微米级微型Micro-LED像素阵列，这一成果显著推动了Micro-LED像素阵列与Si CMOS驱动的混合集成，极大降低修复成本，为AR眼镜的商业化进程注入了新的动力。
图1：晶湛半导体展示经ZDP™平台验证的200mm Micro-LED 晶圆及阵列SEM照片
现场晶湛半导体演示了基于ZDP™平台验证的200mm Full Color GaN®全彩系列LED外延片，像素尺寸在1µm至50µm范围内的高良率RGB micro-LED阵列，即便像素尺寸微缩至1µm，在640x480的阵列规模下（图2），全阵列无任何坏点，充分展现了晶湛半导体在Micro-LED技术领域的深厚积累与创新能力，也将进一步推动AR设备向商业化、产业化演进。
图2：基于Full Color GaN®全彩系列外延片经ZDP™平台验证的Micro-LED 阵列，全阵列无坏点（仅展示无驱动的水平测试结构；若结合驱动与算法，可以实现完全均匀）
晶湛半导体的Full Color GaN®系列产品包括硅基氮化镓产品和蓝宝石基氮化镓产品。
晶湛半导体的ZDP™材料验证平台商标
