国星光电 nStar Ⅲ技术优势： ▌高精度转移 采用国星光电自主研发的巨量转移技术路线，实现＞50多万颗Micro LED芯片高密度集成，R/G/B三色芯片落位精度＜2um，转移良率＞99.9%。此外，国星Micro LED研发平台未来还可支持12寸以内基板上芯片多次拼接键合。
▌高集成封装 采用国星光电自主研发的Micro LED玻璃基封装专利技术，外形厚度更薄，平整度更高，可兼顾散热与显示一致性。
至此，国星光电已实现像素间距从P0.X至P0.0X等多样化场景应用的“未来国星屏”矩阵。接下来，公司将继续深耕Micro LED微显示赛道，开发硅基AR显示技术，打造更全面、更多元化的Micro LED应用领域布局，同时建立产品、技术及解决方案多元化平台体系，期待与客户联合创新，推进新产品、新技术的商业化应用，合力构筑更美好的未来视界。
原文始发于微信公众号（国星光电）：新突破！国星光电成功点亮Micro LED新品nStar Ⅲ
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