2 月 23 日消息，据外媒 IEEE Spectrum 报道，Meta 近日在 IEEE ISSCC 国际固态电路会议上展示了一款采用 3D 设计的 AR 芯片原型。该样品在能效和性能方面均有大幅提升。
Meta 此次展示的 AR 芯片原型来自其 AR 眼镜项目 Project Aria。AR 眼镜身形狭小，又需随身佩戴，因此对搭载的芯片在能效和性能方面均有高度要求。
▲ Meta Project Aria AR 眼镜爆炸图
Meta 所展示的原型芯片由上下两部分组成，每个部分尺寸为 4.1x3.7mm，下部包含 4 个机器学习计算内核与 1MB 本地内存，上部包含 3MB 内存。该芯片采用了台积电 SoIC 高级封装技术，将上下两个芯片面对面地进行混合键合（Hybrid Bonding，即铜对铜的直接连接）。
▲ Meta 3D 芯片结构。图源 Meta
台积电 SoIC 高级封装技术可实现 2μm 的凸块间距。虽然 Meta 的原型芯片并未发挥 SoIC 技术的全部潜力，但两层芯片中间仍存在 33000 个信号连接和 600 万个电源连接；此外，在下部芯片底部，采用了 TSV 硅通孔实现电力输入和信号传出。
Meta 表示，3D 设计让芯片在 AR 眼镜的狭窄 PCB 空间中能以更少电力提供更多算力。该芯片上下部分间数据传递的功耗为 0.15pJ / Byte（即每字节 0.15*10-12 焦耳，原文如是），与同一芯片上的数据传递功耗类似。
在手部跟踪方面，Meta 的研究成果显示，2D 芯片仅能跟踪一只手的动作，而使用 3D 芯片可同时跟踪两只手。3D 芯片方案不仅比前者能耗降低 40%，速度也快 40%。
此外在图像处理上，3D 芯片技术也带来了明显提升：2D 芯片仅能应付压缩图像，而 3D 版本可在相同功耗下处理 FHD 分辨率的图像数据。
Source: IT Home
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